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晶圆划片切割工序作业指引

1.目的与适用范围

1.1目的

本作业指引旨在规范晶圆划片切割工序的作业流程、操作方法、工艺参数设定及质量控制标准，确保晶圆在切割过程中的物理完整性、功能完好性以及后续封装工艺的良率。通过标准化的操作指导，最大限度地降低切割过程中的崩边、微裂纹、碎屑污染及背side损伤等缺陷风险，保障产品的一致性与可靠性，同时提升设备利用率与生产效率。

1.2适用范围

本指引适用于半导体制造及封装测试工厂内，所有涉及硅晶圆、化合物半导体晶圆（如GaAs、SiC、GaN等）的划片切割作业。涵盖设备操作人员、工艺工程师、质量检验人员及相关技术管理人员。无论采用自动切割还是半自动切割模式，均须严格遵循本指引的各项规定。

2.引用标准与定义

2.1引用标准

GB/T15862半导体器件集成电路第2部分：集成电路机械试验方法

IPC-6012印制板验收标准（参考切割边缘质量）

SEMIM2硅片规范

企业内部《晶圆来料检验标准》、《设备安全操作规范》、《ESD防护管理规范》。

2.2术语与定义

2.2.1晶圆：经过制造工艺在半导体衬底上形成电路的圆形片状材料。

2.2.2切割道：晶圆上用于物理分割芯片的预留区域，通常包含测试图形和对准标记。

2.2.3崩边：在切割过程中，芯片边缘发生的材料缺损现象，分为正面崩边和背面崩边。

2.2.4切割刀片：用于切割晶