CN119843228A 溅射方法 （北京北方华创微电子装备有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119843228A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510323611.8

(22)申请日2019.08.19

(62)分案原申请数据

201910763676.92019.08.19

(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区文昌大道8号

(72)发明人邓斌白志民李强耿宏伟孙颖韩立仁

(74)专利代理机构北京国昊天诚知识产权代理

有限公司11315

专利代理师张芳

(51)Int.Cl.

C23C14/34(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图1页

(54)发明名称溅射方法

(57)摘要

CN119843228A本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤