北京航空航天大学《电子电路i》第一章 [4 fet zq]v.pptxVIP

电子电路I·第一章场效应晶体管(FET)基础|北京航空航天大学

Contents本章目录场效应晶体管(FET)基本原理与核心器件结构01集成电路元器件基础回顾02FET基本概念与工作原理03JFET结型场效应晶体管04MOSFET绝缘栅场效应晶体管05FET与BJT对比及应用

CHAPTER01集成电路元器件基础回顾从二极管到三极管，构建半导体器件认知框架

Chapter01·SemiconductorDevices二极管伏安特性与关键参数二极管的伏安特性曲线揭示了PN结的单向导电本质：正向导通需克服死区电压，导通后压降基本恒定；反向偏置时仅有微小漏电流，直至击穿电压VBR才发生雪崩击穿。Threshold0.6V硅管约0.6V、锗管约0.2V，正向电压必须超过此阈值才能形成显著正向电流ForwardDrop0.6~0.8V硅管0.6~0.8V、锗管0.2~0.3V，导通后管压降基本恒定，体现了PN结的稳压特性BreakdownVBR当反向电压超过VBR时发生雪崩击穿，电流急剧增大，需在电路设计中严格避免TemperatureΔT温度升高时死区电压降低、反向饱和电流增大，这是半导体器件的热敏感性体现实验室示波器实测二极管伏安特性曲线

SEMICONDUCTORDEVICES二极管的直流电阻与交流动态电阻二极管的电阻概念需区分直流与交流两个维度：直流等效电阻RD