北京航空航天大学《电子电路i》第一章 [1.4 fet zq]v.pptxVIP

场效应晶体管（FET）北京航空航天大学《电子电路I》第一章1.4节

Contents本节知识框架场效应晶体管（FET）的类型、原理与分析方法01FET概述与分类体系02结型场效应管JFET的结构与工作原理03绝缘栅型场效应管MOSFET04FET小信号模型与等效参数05FET与BJT对比及总结

CHAPTER01FET概述与分类体系理解场效应管在半导体器件谱系中的定位及其核心分类逻辑

ActiveSemiconductorDevices半导体器件分类谱系半导体有源器件按载流子类型分为双极型（BJT）和单极型（FET）两大阵营。BJT中电子与空穴同时参与导电，FET仅由多数载流子导电，这一根本差异决定了二者在输入阻抗、噪声、功耗等方面的系统性区别。NPN双极型晶体管实物双极型晶体管BJT电子和空穴两种载流子同时参与导电，故称双极型，导电机制复杂但跨导高包含NPN和PNP两种极性结构，电流控制型器件，基极电流控制集电极电流输入阻抗较低（kΩ级），存在少子存储效应导致开关速度受限，温度稳定性较差MOSFET场效应管实物单极型晶体管FET仅多数载流子参与导电，故称单极型，导电机制相对简单，无少子存储问题包含JFET和MOSFET两大分支，电压控制型器件，栅极电压控制漏极电流输入阻抗极高（10?Ω以上），噪声低、热稳定性好，适合大规模集成电路制造

Chap