北京航空航天大学《电子电路i》习题课12章概念.pptxVIP

《电子电路I》习题课第1-2章核心概念梳理|北京航空航天大学电子信息类专业基础课

Contents目录北京航空航天大学《电子电路I》习题课1-2章概念核心脉络01半导体物理基础02半导体器件特性与模型03基本放大电路原理与分析04多级放大电路与输出级

Chapter01半导体物理基础从本征半导体到PN结，建立器件分析的物理直觉

IntrinsicSemiconductor本征半导体：载流子的产生与特性本征半导体是完全纯净的半导体晶体，其导电能力取决于本征激发产生的电子-空穴对浓度。载流子浓度随温度指数增长，这是半导体区别于导体的核心特征。硅晶体共价键结构模型01本征半导体是完全纯净、结构完整的单晶半导体（如纯Si、纯Ge），绝对零度下无自由载流子，表现为绝缘体02本征激发使价电子跃迁至导带，同时产生等量电子和空穴（ni=pi），常温下硅的ni≈1.5×101?/cm303载流子浓度随温度指数增长（ni∝T3/2·exp(?Eg/2kT)），赋予半导体热敏性，是器件温度漂移的物理根源04本征半导体中电子和空穴同时参与导电，但因ni极小，实际导电能力很弱，需通过掺杂提升实用性

DOPINGPRINCIPLE杂质半导体：N型与P型的掺杂原理通过掺入特定杂质可大幅提升半导体导电能力：N型掺五价元素使电子成为多子，P型掺三价元素使空穴成为多子。多子浓度由掺杂浓度决定，少子浓度