VMOS晶体管特性仿真解析.pptVIP

微电子设计大赛

采用JTE终端结构VDMOS

的ATLAS仿真;内容;第一部分：MOSFET介绍;MOSFET的分类：;MOSFET主要工作原理（以N沟道增强型为例）：

衬底材料为P型硅，源区和漏区均为N+区。在栅极电压为零时，因为氧化层中正电荷的作用使半导体表面耗尽但未形成导电沟道。当在栅极加上正电压是，表面有耗尽层变为反型层，当Vgs=Vt（阈值电压）表面发生强反型，即形成n型沟道，则此时加在栅极上的电压Vt即为MOS管的开启电压。在此时，假如在漏源之间加正电压，电子就能够从源极流向漏极，形成漏极向源极的电流。;MOSFET的特点：;功率器件的特征：;功率器件的特征：;功率MOSFET的主要类型：;功率MOSFET的主要类型：;;VDMOS主要参数：;第13页;VDMOS主要参数（静态参数）：;VDMOS主要参数（开关参数）：;VDMOS主要参数（原理图）：;Ciss:输入电容（Cgs+Cgd）;VDMOS主要动态参数（原理图）：;第三部分：VDMOS产品工艺流程;第20页;管芯制造：;场氧化;多晶淀积;P+注入;N+注入;PSG回流;金属光刻;钝化层光刻;背面蒸发;划片;;第32页;第33页;第34页;第35页;第36页;第37页;第38页;第39页;第40页;第41页;第42页;第43页