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碳化硅半导体器件的制备工艺突破与成本下降路径

一、引言

在全球能源绿色转型的大背景下，电力电子系统正朝着高频、高压、高功率密度、高效率的方向快速迭代，传统硅基功率器件经过六十余年的发展，已经逐渐逼近材料本身的物理性能极限，难以满足新能源汽车高压快充、光伏逆变、储能变流、特高压输电等场景的更高要求。作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，碳化硅的禁带宽度约为硅材料的三倍，击穿电场强度达到硅的十倍，热导率是硅的两倍以上，基于这些材料特性制备的功率器件，相较同规格硅基绝缘栅双极型晶体管可降低七成以上的开关损耗，支撑电力电子系统实现更高的工作频率、更高的工作温度与更高的功率密度，是支撑多个战略产业技术升级的核心元器件（中国半导体行业协会，2023）。

在很长一段时间内，碳化硅器件的应用范围仅限于航天、军工等对成本不敏感的高端领域，核心制约因素就是其制备流程复杂度高、全链条工艺难度大，导致器件终端售价达到同规格硅基器件的三到五倍，难以在对成本敏感的民用场景大规模普及。近年来，随着学术界与产业界的持续协同攻关，碳化硅器件制备全链条的工艺瓶颈不断被突破，成本也随着量产规模扩大逐步下探，推动产业进入快速发展的窗口期。本文将从碳化硅器件传统制备流程的核心卡点入手，系统梳理近年来全链条的关键工艺突破，多维度分析未来实现成本持续下降的可行路径，为产业良性发展提供参考思路。

二、碳化硅半导体器件传统制备流程