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GaNHEMT小信号等效电路参数提取与优化分析案例

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TOC\o1-3\h\u21010GaNHEMT小信号等效电路参数提取与优化分析案例 1

57881.1提参流程 1

90881.2寄生参数提取与优化 2

72921.3本征参数提取与优化 8

1.1提参流程

基本思路是分布提取[20]，即先提取与偏置无关的外围寄生参数值，然后固定寄生参数值，改变几组偏置，再通过拟合优化的方式分别提取本征参数值。分步提取法利用了非本征参数不随外界偏压变化的特性，采用在确定的偏置条件下对寄生参数进行提取，并将寄生参数提取值作为已知条件，进行本征提取，这种方法具有运算量小，容易实现，提取结果的准确性较高等的优点，本文采用此方法。其中，提取寄生参数时，最先提取Cpg，Cpgs，Rpgs，Cpd，Cpds，Rpds这六个参数，这是因为在低频条件下，且晶体管处于截止状态时，寄生电阻和寄生电感对Y参数虚部的影响很小，本征部分会形成一个三电容的“T”型网络，而该网络又可以很容易地转化为一个等效的“π”型网络，因此这六个参数值很容易通过Y参数的虚部表达式获得。然后再在高频率下，通过去嵌后的Z参数的实部和虚部分别确定寄生电感和电阻。最后固定外围的寄生参数值，改变几组偏置，通过自动优化的方式分别提取本征参数值。

图3-1提参流程框图

1.2寄生参数提