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- 2026-09-08 发布于北京
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飞兆
FDP5500_F085
N沟道UltraFET功率MOSFET
55V,80A,7mΩ
2009年4月
特性
类型
r = 5.1mΩat
V = 10V,I = 80A类
DS(on)GSD
型
Q = 114nC
at
V = 10V
g(10)GS
■
仿真模型
‑
带温度补偿的
PSPICE
和
SABER™
模型
峰值电流与脉冲宽度关系曲线
■
UIS
额定值曲线
■
通过
AEC
Q101
认证
符
合
RoHS
应用程序
直流线性模式控制电磁阀
和电机控制开关稳压器汽
车系统
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FAIRCHILD
SEMICONDUCTOR
FDP5500_F085
N-ChannelUltraFETPowerMOSFET
55V,80A,7mΩ
April2009
Featu
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