CN119852175A 一种半导体薄膜及其制备方法 （苏州晶湛半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119852175A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202311338765.1

(22)申请日2023.10.16

(71)申请人苏州晶湛半导体有限公司

地址215123江苏省苏州市苏州工业园区

金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室

(72)发明人程凯

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司11505

专利代理师秦卫中

(51)Int.Cl.

H01L21/308(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

一种半导体薄膜及其制备方法

(57)摘要

CN119852175A本公开提供了一种半导体薄膜及其制备方法，利用图案化的衬底形成具有镂空结构的半导体薄膜，以半导体薄膜为掩膜，通过湿法刻蚀进一步除去衬底，第一凹槽被刻蚀形成第二凹槽，第二凹槽在所述衬底所在平面的正投影面积大于所述镂空结构在所述衬底所在平面的正投影面积，在生长过程中，因为第一凹槽被加深刻蚀，部分半导体薄膜悬空于第二凹槽上，悬空结构可以弛豫张应力，抑制裂纹产生；另一方面，因为衬底被进一步除去，所以由于衬底和半导体薄膜的接触界面减小，在衬底和半导体薄膜之间的界面形成的位错数目也会进一步降低，且在半导体薄