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GaN基PN结二极管的仿真与优化分析案例

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TOC\o1-3\h\u1578GaN基PN结二极管的仿真与优化分析案例 1

134721.1GaN基PN结二极管基本结构的仿真 1

170731.2GaN基PN结二极管优化结构的仿真 4

232491.2.1网格优化后的仿真 4

244221.2.2器件结构优化后的仿真 8

284111.3基本结构与优化结构仿真结果对比 10

1.1GaN基PN结二极管基本结构的仿真

首先定义网格，在构建GaN垂直二极管基本结构的时候，采用的是x和y两个方向的均匀网格，横向网格0-20之间为0.2um，纵向网格从0-1.11之间为0.2um。代码截图如下：

图1.1GaN垂直二极管基本结构仿真代码

然后进行区域的划分，并且对各个区域进行掺杂，一共将整个器件划分为五个区域，其中两个p型掺杂区和一个n型掺杂区，还有两个空气区域，第一层p型掺杂区是x在2-18um，y在0-0.01um的薄层范围，这一区域的掺杂浓度为2*1019cm-3；第二层p型掺杂区是x在2-18um，y在0.01-0.11um的薄层范围，这一区域的掺杂浓度为2*1018cm-3；第三层n型掺杂区是x在0-20um，y在0.11-1.11um的薄层范围，为衬底层，这一区域的掺杂浓度为2*1016cm-3；其余两个区域是