SJ/T12216-2026电子级三甲硅烷基胺标准立项发展报告
StandardizationDevelopmentReport:ElectronicGradeTrisilylamine
摘要
随着集成电路制程不断向特征尺寸小于28纳米及以下节点演进,高端介质薄膜沉积工艺对前驱体材料的纯度、组分一致性与杂质控制提出了极为苛刻的要求。三甲硅烷基胺作为下一代原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)工艺中制备高品质氮化硅(SiNx)薄膜的关键前驱体材料,其国产化进程直接关系到半导体供应链的安全与稳定。然而,长期以来,国内缺乏统一的电子级三甲硅烷基胺产品标准,导致市场产品质量参差不
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