摘要
NaNbO(NN)无铅反铁电陶瓷因其具有超短充放电时间、制造成本低、环境友
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好等优点,在集成电路、激光器和航空航天等领域中具有广泛的的应用前景而备受关
注。然而,NaNbO基陶瓷在强电场作用下产生较大的能量损失,导致其储能密度
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(W)和转化效率(η)较低而限制其商业化应用。因此,开发具有高储能密度
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