蓝光LED芯片光刻蚀刻指引.docx

蓝光LED芯片光刻蚀刻指引

1.适用范围与工艺概述

本指引详细规范了蓝光LED芯片制造过程中光刻与蚀刻工艺的作业标准、技术参数及控制要求。适用于基于GaN（氮化镓）材料系的蓝光LED外延片，在图形化蓝宝石衬底（PSS）、台面隔离、电流扩展层刻蚀、透明电极（ITO）图形化以及钝化层开孔等关键工序的工艺作业。文档旨在通过标准化的操作流程，确保芯片结构的几何精度、侧壁形貌及表面洁净度，从而保障LED器件的发光效率、反向漏电特性及长期可靠性。

光刻与蚀刻作为微纳加工的核心环节，其本质是将设计好的掩模版图形精确转移到晶圆表面的光刻胶层，再以此为掩膜，通过化学或物理手段去除下层材料（如GaN、ITO、Si