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2026年校招：华润微电子真题及答案

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单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体中少数载流子的产生主要是由于（）

A.掺杂

B.热激发

C.电场作用

D.光照作用

2.MOSFET工作在饱和区时，其漏极电流与（）

A.栅源电压成正比

B.栅源电压的平方成正比

C.漏源电压成正比

D.漏源电压的平方成正比

3.集成电路制造中，光刻工艺的主要目的是（）

A.去除硅片表面杂质

B.在硅片上形成特定图形

C.改变硅片的电学性质

D.增加硅片的厚度

4.以下哪种材料常用于半导体器件的衬底（）

A.铜

B.铝

C.硅

D.金

5.TTL电路的电源电压一般为（）

A.3.3V

B.5V

C.12V

D.24V

6.逻辑电路中，与非门的输出是（）

A.输入信号相与后取非

B.输入信号相或后取非

C.输入信号直接取反

D.输入信号相与

7.半导体二极管的正向导通压降，锗管约为（）

A.0.2V

B.0.5V

C.0.7V

D.1V

8.芯片封装的主要作用不包括（）

A.保护芯片

B.实现电气连接

C.散热