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  • 2026-09-17 发布于广东
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计算机组成原理

第四章存储系统

4.3静态存储器工作原理

第四章4.3静态存储器工作原理

1SRAM存储单元结构

X地址译码线

VDD(5V)

A

T3

T4

B

T6

•工作管:T1、T2(保存数据)

T5

T1

T2

•负载管:T3、T4(补充电荷)

T7

Vss(0V)

•门控管:T5、T6、T7、T8(开关作用)

T8

I/O

Y地址译码线

第四章4.3静态存储器工作原理

2SRAM存储单元工作原理

X地址译码线

A

VDD(5V)

◼X地址选通(行选通)

B

T6

T5、T6管导通

A点与位线相连

T5

T7

T1

T2

◼Y地址选通(列选通)

Vss(0V)

T7、T8管导通

T8

A点电位输出到I/O端

I/O

Y地址译码线

第四章

4.3静态存储器工作原理

写1

2

SRAM存储单元工作原理

A

X地址译码线

•写过程

X有效→T5、T6通→A与I/O连通

VDD(5V)

Y有效→T7、T8通→B与I/O连通

T3

T4

B

I/O=1→A=1→T2通→B=0→T1截止

T5

T6

I/O=0→B=0→T1截止→A=1→T2通

T1

T2

此时,T1、T2

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