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集成电路试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（共10题，每题2分，共20分）

1.关于CMOS反相器的阈值电压Vth，下列说法正确的是（）

A.仅与衬底掺杂浓度有关

B.随栅氧化层厚度增加而增大

C.与电源电压Vdd无关

D.增强型NMOS的Vth为负值

2.MOSFET工作在饱和区时，满足的条件是（）

A.VgsVth且VdsVgs-Vth

B.VgsVth且VdsVgs-Vth

C.VgsVth且Vds0

D.Vgs=Vth且Vds=0

3.集成电路制造工艺中，光刻的主要作用是（）

A.形成晶体管的源漏区

B.在硅片表面转移图形

C.生长栅氧化层

D.进行离子注入

4.下列逻辑门中，输出高电平时具有较强驱动能力的是（）

A.CMOS与非门

B.CMOS或非门

C.NMOS与非门

D.PMOS或非门

5.D触发器的功能特点是（）

A.时钟脉冲上升沿触发，输出与输入相同

B.时钟脉冲下降沿触发，输出