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铁酸铋磁电薄膜的制备工艺与掺杂改性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域，多铁材料因其独特的电磁特性，即铁电性与磁性共存且具有磁电耦合效应，成为了研究热点。铁酸铋（BiFeO?）磁电薄膜作为多铁材料的典型代表，在室温下同时具备铁电有序和反铁磁有序，展现出了巨大的应用潜力。其结构为斜六方结构，由立方结构沿(111)方向拉伸而形成，这种独特的结构赋予了它较高的铁电相变温度（T_c=830K）和反铁磁相变温度（T_N=643K）。

铁酸铋磁电薄膜的磁电耦合效应，意味着电场可以诱导产生磁化，磁场也能诱发铁电极化，这一特性打破了传统上磁性与铁电性独立发展的局面，为材料科学的发展开辟了新的道路。在磁存储介质方面，电极化和磁化通过内在的磁电效应相互耦合，为下一代多功能电子学信息记录器件的设计提供了额外的自由度。例如，有望设计出利用快速电极化诱导快速磁化反转的磁光盘，取代现有的慢速磁读写记忆材料，这种材料既具备传统铁电材料快速读写的优势，又能克服铁电材料在极化反转中因电畴钉扎而产生的疲劳现象，可能成为一种集铁电材料和磁性材料优点于一身的新型存储材料。同时，由于铁电性和磁性的共存，使得这种材料同时具有高的介电常数和磁导率，用此性质可以制成高电容和大电感一体化的电子元器件，为减少高密度电路板上的器件数量，解决感性器件和容性器件的相互干扰问题提供新的思路。另外，该材料的电与