福州大学《电子科学与技术》期末考试试卷(含答案).docxVIP

福州大学《电子科学与技术》期末考试试卷(含答案)

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共10分。请将正确选项的字母填在括号内）

1.下列哪一项不是半导体材料的特性？

(A)导电性介于导体和绝缘体之间

(B)导电性易受温度、光照、杂质影响

(C)具有固定的熔点

(D)热稳定性差

2.当PN结反偏时，其空间电荷区的主要特点是？

(A)宽度变窄，内建电势升高

(B)宽度变窄，内建电势降低

(C)宽度变宽，内建电势升高

(D)宽度变宽，内建电势降低

3.BJT实现放大作用的关键条件是？

(A)发射结反偏，集电结反偏

(B)发射结正偏，集电结正偏

(C)发射结正偏，集电结反偏

(D)发射结反偏，集电结正偏

4.对于N沟道增强型MOSFET，使其从关断状态转为导通状态，必须满足的条件是？

(A)栅源电压VGS小于阈值电压Vth

(B)栅源电压VGS大于阈值电压Vth，且漏源电压VDS大于VGS-Vth

(C)栅源电压VGS小于阈值电压Vth，且漏源电压VDS大于VGS-Vth

(D)栅源电压VGS大于阈值电压Vth，且漏源电压VDS小于VGS-Vth

5.