SJT 11975-2025 电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范标准立项发展报告.docx

电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:GenericSpecificationforPress-PackInsulatedGateBipolarTransistors(IGBT)forPowerSystems

摘要

随着我国新型电力系统建设的深入推进和柔性直流输电、智能电网等重大工程的快速发展，压接式绝缘栅双极晶体管（Press-PackIGBT）作为核心功率半导体器件，其质量一致性与可靠性直接关系到电力系统的安全稳定运行。当前，国内压接式IGBT在电力系统领域的应用缺乏统一的门类规范标准，产品设计、制造、检验和选用等环节存在技术指标不统一、互换性差、可靠性评价体系不完善等问题，严重制约了国产器件的规模化应用和产业链自主可控发展。本标准（SJ/T11975-2025）由行业标准-电子发布，于2025年5月9日发布，2025年8月1日正式实施。本标准系统规定了电力系统用压接式IGBT的术语和定义、分类与命名、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等内容，建立了面向电力系统应用场景的器件门类技术框架。本报告的发布将有效填补该领域标准空白，为器件制造商、电力装备企业和检测机构提供统一的技术依据，对推动我国功率半导体产业高质量发展、保障电力系统核