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2026年中芯国际秋招面试题及答案

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单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体制造中光刻工艺的核心目的是（）

A.沉积薄膜

B.刻蚀图案

C.定义电路图案

D.掺杂杂质

2.以下哪种气体常用于半导体刻蚀工艺（）

A.氮气

B.氢气

C.氯气

D.氧气

3.中芯国际的创始人是（）

A.张汝京

B.梁孟松

C.任正非

D.王传福

4.12英寸晶圆的直径约为（）

A.200mm

B.300mm

C.400mm

D.500mm

5.半导体制造的前道工序不包括（）

A.光刻

B.刻蚀

C.封装

D.薄膜沉积

6.芯片制造中提高良率的关键在于（）

A.增加设备数量

B.优化工艺控制

C.提高原材料价格

D.减少生产人员

7.以下哪个不是衡量半导体工艺先进性的指标（）

A.线宽

B.芯片面积

C.晶圆厚度

D.集成度

8.常用于存储数据的半导体器件是（）

A.二极管

B.三极管

C.电容器

D.闪存

9.半导体生产环境要求的洁净度等级通常很高，一般是（）

A.百级

B.千级

C.万级

D.十万级

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