CN119041010A 一种液相法碳化硅单晶的生长装置及生长方法 （北京晶格领域半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119041010A

(43)申请公布日2024.11.29

(21)申请号202411535927.5C30B15/30(2006.01)

(22)申请日2024.10.31

(71)申请人北京晶格领域半导体有限公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义区临空二路1号

(72)发明人张泽盛张广宇

(74)专利代理机构北京格允知识产权代理有限

公司11609

专利代理师刘晓

(51)Int.Cl.

C30B15/00(2006.01)

C30B15/20(2006.01)

C30B27/02(2006.0