基于HDPCVD的浅沟槽隔离填充工艺在成熟制程升级改造中的适用性研究.docxVIP

PAGE2

基于HDPCVD的浅沟槽隔离填充工艺在成熟制程升级改造中的适用性研究

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

随着摩尔定律趋近物理极限，半导体制造的重心逐渐从单纯追求先进制程微缩，转向成熟制程的产能扩充与性能升级。在45nm及以上节点的成熟制程中，浅沟槽隔离（STI）填充工艺是决定芯片良率与电学隔离性能的关键环节。传统上，该节点广泛采用次常压化学气相沉积（SACVD）进行STI填充，但随着芯片特征尺寸缩小且形貌深宽比（AR）增加，SACVD在填充无空洞性及生产效率上