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  • 2026-09-23 发布于河南
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微电子专业笔试题答案

考试时间:______分钟总分:______分姓名:______

一、选择题(每题只有一个正确选项,请将正确选项字母填入括号内。每题2分,共20分)

1.下列哪种材料是典型的直接带隙半导体?

A.GaAs

B.Si

C.Ge

D.GaN

2.在PN结不加外加电压时,其空间电荷区的电场主要是由于什么形成的?

A.外加电场

B.载流子的扩散

C.多子漂移

D.少数载流子的漂移

3.MOSFET器件进入饱和区工作的主要条件是:

A.栅源电压VGS小于阈值电压Vth

B.栅源电压VGS大于阈值电压Vth,且漏源电压VDS大于栅源电压VGS减去阈值电压

C.漏源电压VDS小于栅源电压VGS减去阈值电压

D.漏源电压VDS等于零

4.在CMOS反相器中,当输入电压处于低电平(远低于Vth)时,哪个晶体管是导通的?

A.PMOS

B.NMOS

C.两者都导通

D.两者都不导通

5.半导体中的复合主要是指:

A.电子从价带跳到导带

B.空穴从导带跳到价带

C.电子与空穴相遇并失去能量,重新变为束缚态

D.电荷carriers的漂移运动

6.离子注

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