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- 2026-09-23 发布于河南
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微电子专业笔试题答案
考试时间:______分钟总分:______分姓名:______
一、选择题(每题只有一个正确选项,请将正确选项字母填入括号内。每题2分,共20分)
1.下列哪种材料是典型的直接带隙半导体?
A.GaAs
B.Si
C.Ge
D.GaN
2.在PN结不加外加电压时,其空间电荷区的电场主要是由于什么形成的?
A.外加电场
B.载流子的扩散
C.多子漂移
D.少数载流子的漂移
3.MOSFET器件进入饱和区工作的主要条件是:
A.栅源电压VGS小于阈值电压Vth
B.栅源电压VGS大于阈值电压Vth,且漏源电压VDS大于栅源电压VGS减去阈值电压
C.漏源电压VDS小于栅源电压VGS减去阈值电压
D.漏源电压VDS等于零
4.在CMOS反相器中,当输入电压处于低电平(远低于Vth)时,哪个晶体管是导通的?
A.PMOS
B.NMOS
C.两者都导通
D.两者都不导通
5.半导体中的复合主要是指:
A.电子从价带跳到导带
B.空穴从导带跳到价带
C.电子与空穴相遇并失去能量,重新变为束缚态
D.电荷carriers的漂移运动
6.离子注
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