层压法微波加热制备SiC工艺及机理研究_胡明亮.pdf

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中文摘要

摘要

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,凭借其宽禁带、高热导率及优异的高

温稳定性,在新能源汽车、5G通信等战略领域展现出不可替代的应用价值。然而,

传统合成工艺普遍存在能耗高、生产周期长及产物纯度难以控制等问题,微波加热

技术以其快速体积加热和高效能量转化率,成为SiC合成的重要研究方向。但现

有微波方法仍面临温度场分布不均、局部过热及产物形貌难以调控等挑战。本研究

创新性地将层压成型与微波加热相结合,通

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