集成电路工艺九化学机械抛光解析.pptVIP

CMP技术的缺点1.新技术,工艺窗口窄,工艺变量控制相对较差。2.厚度及均匀性的控制比较困难加强终点检测。3.设备昂贵。可编辑可编辑第九章:化学机械抛光9.1引言硅片的表面起伏问题在IC工艺技术发展过程中，遇到了硅片的表面起伏（即不平坦)这个非常严重的问题，它使亚微米光刻无法进行，表面起伏使光刻胶的厚度不均、超出光刻机的焦深范围，无法实现亚微米线宽的图形转移。硅片的表面起伏问题双层金属IC的表面起伏平坦化的定性说明1)未平坦化2)平滑：台阶角度圆滑和侧壁倾斜，台阶高度未减3)部分平坦化：平滑且台阶高度局部减小平坦化的定性说明4)局部平坦化：完全填充较小缝隙或局部区域。相对于平整区域的总台阶高度未显著减小5)全局平坦化：局部平坦化且整个Si片表面总台阶高度显著减小9.2传统的平坦化技术传统的平坦化技术1.反刻2.玻璃回流3.旋涂膜层1.反刻（回蚀)在表面起伏的硅片上涂上一层光刻胶或其它材料做为平坦化的牺牲层，然后利用比牺牲层快的刻蚀速率刻蚀高处部分的过程称为反刻（也称为回蚀)。反刻能达到局部平坦化。1.反刻（回蚀)反刻平坦化2.玻璃回流玻璃回流是利用硼磷