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可控硅元件的工作原理及基本特性

一种以硅单晶为基本可料的P1N1P2N2四层三端器作，创制于1957年，于它特性类似

于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又于晶闸管最初应用于

可控整流方面所以又称为珪可控整流元件，简称为可控硅SCR,自从20世纪50年代问世以

来已经发展成为了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、

逆导晶闸管、可关断晶间管、快速晶闸管等。

可控硅的优点不少，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极

快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。

一、单向可控硅

1.单向可控硅的工作原理

单向可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，它有三个PN结J（1、J2、J3）,从J1结构的

P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G。分析原理时，可以把它看做

一个PNP管和一个NPN管