N沟道MOSFET技术参数与应用.pdfVIP

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FQP45N15V2

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FQPF45N15V2

N沟道QFET®

MOSFET

150伏特，45安培，40毫欧

姆

产品描述

这款N沟道增强型功率MOSFET采用飞兆®专有的平面条带和DMOS技术制造。该

先进MOSFET技术特别针对降低导通电阻、卓越开关性能及高雪崩能量强度而优化。

该器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制及可变开关电源应用。

特性

ï

45

A、150

V，RDS(on)

=40mΩ（最大值）@

VGS

=10V，电流

=22.5

A

ï

低栅极电荷（典型值72纳库）

ï

低反向传

输电容（典型值135皮法）

ï

100%雪崩测试

通过

ï

最高结温额定值175°C

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FQP45N15V2/FQPF45N15V2

N-ChannelQFET®MOSFET

150V,45A,40mΩ

Description

ThisN-Channelenhancementmodepowe