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信息单3)MOSFET气敏器件MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应)气敏器件具有产品一致性好、体积小、重量轻、可靠性高、气体识别能力强、便于大批量生产、与半导体集成电路有较好的工艺相容性等许多优点，日益受到人们的重视。它是利用半导体表面效应制成的一种电压控制型元件，可分为N沟道和P沟道两种，N沟道MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应)气敏器件的结构如图5-10所示。它是由P型硅半导体衬底，两个间隔很近(约10μm)的N区、二氧化硅绝缘层及覆盖在二氧化硅表面的金属栅组成。5.半导体气敏传感器的气敏选择性选择性是检验气敏传感器是否具有实用价值的重要尺度。上一页下一页