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  • 2026-10-09 发布于江西
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热超声堆叠过程封装模块内部键合线损伤分析.pdf

电子工艺技术

20247454ElectronicsProcessTechnology29

年月第卷第期

热超声堆叠过程封装模块内部键合线损伤分析

柳溪溪,杨建军,齐鑫

(中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050000)

摘要:基于金凸点互连的3D封装模组具有凸点密度高、射频性能优异的特点,采用热超声堆叠工艺实现

层间结合。以三层硅基封装模组堆叠作为研究对象,通过设计试验验证了主要堆叠工艺参数以及堆叠方式对内部

键合丝损伤程度的影响。试验表明,调整堆叠工艺参数以及堆叠方式无法根除模块堆叠过程内部键合丝受损的现

象。通过理论分析及有限元仿真证明了引起模组内部键合丝损伤的主要原因为堆叠过程中导电胶受热软化,芯片

在超声能量下存在微幅振动。最后针对此问题给出了解决方案。

关键词:金凸点;热超声键合;堆叠;损伤

中图分类号:TN405文献标识码:A文章编号:1001-3474(2024)04-0029-04

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