GBT 29056-2025 硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法标准立项发展报告.docxVIP

硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:DeterminationofImpurityContentinTrichlorosilaneforSiliconEpitaxy—InductivelyCoupledPlasmaMassSpectrometry

摘要

随着集成电路产业向纳米级工艺节点持续推进，硅外延用三氯氢硅作为制备高纯硅外延层的核心前驱体材料，其杂质含量控制已成为决定外延层晶体质量与器件电学性能的关键因素。电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）凭借其超痕量检测能力、多元素同步分析及宽线性动态范围等优势，已成为该领域最有效的分析手段之一。本标准（GB/T29056-2025）规定了采用ICP-MS法测定硅外延用三氯氢硅中痕量杂质元素含量的技术要求，涵盖方法原理、试剂与材料、仪器设备、分析步骤、结果计算及精密度控制等内容。本标准由国家标准主管部门于2025年10月31日发布，将于2026年5月1日正式实施，标志着我国在电子特种气体杂质检测领域标准化建设迈上新台阶。本报告系统梳理了该标准的立项背景、编制过程、技术内容及实施意义，旨在为相关企事业单位和技术人员提供参考。

关键词：三氯氢硅；电感耦合等离子体质谱法；硅外延；杂质测定；电子特种气体；痕