反激同步整流技术解密.docxVIP

反激同步整流技术解密

同步整流

同步整流（SR）是采用通态电阻极低的功率MOSFET取代整流二极管以降低损耗的一项新技术。它能显著提升转换效率，并可利用其二次侧的优势改善电源指标，符合开关电源小型化、高能效、智能化的发展趋势。

随着六级能效的实施及快速充电技术的普及，同步整流在反激变换器中被电源工程师们广泛应用。然而，同步整流如何分类及选型？其控制算法是如何解决振铃误开通等技术难题？系统应用时是否需要外部并联二极管及RC吸收……

芯朋微技术团队分享原创观点，为您一一解答！

同步整流分类

从拓扑架构角度，同步整流可分为Highside和Lowside两大类。

Highside

特点：

由于SR驱动电流大，SR参考地与输出地分开，EMC较好；

高压自供电影响轻载转换效率；

难以监控输出电压。

Lowside

特点：

SR参考GND与输出共地，EMC稍差；

输出电压直接供电，转换效率高；

监控输出电压，易改善电源指标。

从控制策略角度，同步整流可分为DCM模式和CCM模式，而CCM模式又以预测关断和快速关断为主导。

DCM模式

优点：算法简单可靠，外围精简。

缺点：控制算法与MOSFET通态电阻相关；SR须与原边芯片配合，仅能工作在不连续导电模式。

CCM模式--预测关断

由SR开关波形扑捉Vg/n、Vo、T1信息，根据负秒平衡原理，估算SR关断点：

优点：控制算法与MOSFET