AO3400型沟道MOS管技术参数手册.pdfVIP

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  • 2026-10-13 发布于北京
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AO3400

N沟道增强型场效应晶体管

一般描述特性

电压(V)

=30V

AO3400采用先进的沟槽技术DS

出色的RDS(ON)、低栅极电荷和电流=5.8

A

(V=10V)

DGS

可在低至2.5V的栅极电压下工作。该R28毫Ω

(V=10V)

DS(ON)GS

器件适用于负载开关或PWM电阻33毫欧

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