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NDH8304P双沟道场效应管技术手册.pdfVIP

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  • 2026-10-13 发布于北京
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NDH8304P双沟道场效应管技术手册.pdf

    N1996年8月

    前瞻信息

    NDH8304P

    双P沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    ‑2.5A，‑20V。R=0.08@

    V=‑4.5V

    这些P沟道增强型功率场DS(ON)GS

    场效应晶体管采用国家公司（Nationals）R=0.11@

    V=‑2.7V

    DS(ON)GS

    专有度单元DMOS技术制造。

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