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面向航空航天电推进的SiC基高压脉冲电源：用于等离子体推进器的精确控制

摘要

本报告聚焦航空航天电推进系统中核心的功率处理单元（PPU），深入分析碳化硅（SiC）基高压脉冲电源在等离子体推进器精确控制中的应用与市场前景。随着商业航天爆发与深空探测任务增多，电推进系统对高功率密度、高耐压及抗辐照能力的要求急剧上升。SiC器件凭借宽禁带特性，成为产生数千伏高压脉冲的理想选择。

报告系统梳理了SiC在PPU中产生高压脉冲的波形控制技术与抗辐照设计方法。在波形控制方面，重点剖析了高dv/

通过对用户需求与竞争格局的深度剖析，本报告指出，低轨卫星星座组网是当前最大增量市场，而国产化替代与PPU模块化集成是核心机会点。预计未来五年，随着抗辐照工艺成熟与波形控制算法优化，SiC基PPU市场规模将保持高位增长。建议相关企业聚焦航天级SiC定制流片，深化产学研合作，抢占高压脉冲控制技术高地。

第一章调研概述

1.1调研背景与目标

近年来，全球航天产业步入高频发射时代，低轨星座建设与深空探测任务对航天器推进系统提出了更高要求。传统化学推进比冲低，而电推进凭借高比冲优势成为主流。然而，现有基于硅基器件的功率处理单元（PPU）在耐压、频效与体积上遭遇瓶颈，难以满足新一代等离子体推进器数千伏高压脉冲的精确控制需求。

碳化硅作为第三代半导体，具备高击穿电场与高热导率，是突破上述瓶颈的关