氮化铝微环谐振腔临界耦合条件及制备工艺研究.pptx

content目录01研究背景与科学问题02理论模型与耦合机制分析03材料生长与薄膜质量控制04关键制备工艺与图形化技术05器件结构设计与性能表征06创新价值与应用前景07总结与未来展望

研究背景与科学问题01

氮化铝作为超宽禁带半导体在集成光子学中的独特优势日益凸显01宽禁带优势氮化铝具有约6.2eV的超宽禁带，使其在可见至紫外波段光学透明，适用于高频高功率光子器件，有效抑制双光子吸收损耗。02高稳定性氮化铝具备优异的热化学稳定性和机械强度，能在高温、强辐射等极端环境下稳定工作，适合集成光子芯片的长期可靠性需求。03非线性特性氮化铝拥有显著的三阶非线性效应，有利于实现高效四波混频与光频梳生