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CN118946161A 三维存储器及其制造方法 （上海积塔半导体有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-10-19 发布于重庆
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CN118946161A 三维存储器及其制造方法 （上海积塔半导体有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118946161A

    (43)申请公布日2024.11.12

    (21)申请号202411435693.7H10B63/00(2023.01)

    H10N70/00(2023.01)

    (22)申请日2024.10.15

    H10N70/20(2023.01)

    (71)申请人上海积塔半导体有限公司

    地址201306上海市浦东新区中国（上海）

    自由贸易试验区临港新片区云水路

    600号

    (72)发明人郭秋生丁甲张继伟胡林辉

    周华

    (74)专利代

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