低缺陷3 in中波InAs⁄InAsSb材料分子束外延工艺研究.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约3.75万字
  • 约 9页
  • 2026-10-22 发布于江苏
  • 举报

低缺陷3 in中波InAs⁄InAsSb材料分子束外延工艺研究.pdf

第卷,第期红外11

464

文章编号:()

1672-8785202504-0011-09

低缺陷中波/材料

3inInAsInAsSb

分子束外延工艺研究

闫勇周朋游聪娅刘铭胡雨农金姝沛

(,)

华北光电技术研究所北京100015

摘要:通过改变材料源的束流大小和材料生长温度对

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档