IEC 63068-4-2022 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损识别标准 第4部分：使用光学检查和光致发光的组合方法识别和评估缺陷的程序 标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损识别标准第4部分：使用光学检查和光致发光的组合方法识别和评估缺陷的程序标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices—Non-destructiveRecognitionCriteriaofDefectsinSiliconCarbideHomoepitaxialWaferforPowerDevices—Part4:ProcedureforIdentifyingandEvaluatingDefectsUsingaCombinedMethodofOpticalInspectionandPhotoluminescence

摘要

随着宽禁带半导体材料在电力电子领域的广泛应用，碳化硅（SiC）功率器件因其高击穿电场、高热导率和高饱和电子漂移速度等优异特性，已成为新能源汽车、光伏逆变、轨道交通等高端应用的核心器件。碳化硅同质外延片作为功率器件制造的关键基础材料，其晶体缺陷密度和分布直接影响器件的击穿电压、导通电阻及长期可靠性。然而，碳化硅外延片中缺陷的准确识别与评估长期面临技术挑战，缺乏统一的无损检测标准。IEC63068-4-2022《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损识别标准