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硅基光子芯片的低损耗传输技术研究

一、引言

随着人工智能、大数据、云计算等数字技术的快速普及，全球数据流量呈现指数级增长态势，传统基于铜介质的电互连技术在传输速率、功耗、带宽、抗干扰能力等方面逐渐触及物理瓶颈，难以支撑下一代算力网络与信息系统的发展需求。硅基光子技术依托成熟的互补金属氧化物半导体工艺，在硅基衬底上实现光信号的产生、传输、调制、探测与处理，兼具光互连的高速低功耗优势与微电子工艺的大规模量产潜力，被公认为后摩尔时代突破互连墙、算力墙的核心技术路径（周治平，2021）。传输损耗是衡量硅基光子芯片性能的核心指标，直接决定了芯片的集成规模、信号质量与功耗水平：早期的硅基波导传输损耗高达每厘米几十分贝，光信号在芯片上传输不足一厘米就会衰减至无法探测，仅能实现简单的分立器件功能，完全不具备大规模集成的条件。经过二十余年的技术迭代，当前硅基光子芯片的传输损耗已经大幅降低，但要实现数万甚至数十万个器件的单片集成、支撑长距无放大的片上光传输，仍然需要围绕损耗产生的机理开展系统性的技术优化。本文将从硅基光子芯片的损耗来源入手，逐层剖析低损耗传输技术的实现路径，梳理当前的应用进展与现存挑战，为后续硅基光电子集成技术的发展提供参考。

二、硅基光子芯片传输损耗的来源与形成机理

要实现低损耗传输，首先需要厘清光信号在硅基芯片中传输时的能量损失机制。硅基光子芯片的传输损耗并非由单一因素导致，而是来