半导体物理 课件 第二章 半导体中的杂质与缺陷 - .pptx

半导体物理;;2.1半导体中的杂质;2.1.1杂质位置类型;2.1半导体中的杂质;2.1半导体中的杂质;2.1半导体中的杂质;2.1半导体中的杂质;2.1半导体中的杂质;施主杂质或N型杂质：能够“贡献”电子给导带的杂质原子；施主杂质未电离时是电中性的，称为束缚态或电中性态；电离后成为正电中心，称为离化态。

通常情况下，V族元素在硅或锗半导体中多是施主杂质。实现发现，V族杂质元素在硅或锗中的电离能很小，在硅中为0.04~0.05eV，在锗中约为0.01eV，远小于硅和锗的禁带宽度。这意味着使用V族元素对硅或锗进行N型掺杂比较容易。

施主杂质原子（如磷原子）通常较少，因此杂质原子