半导体器件物理;;9.1光电探测物理基础;9.1光电探测物理基础;当光照射到半导体表面时:;产生电子-空穴对的基本条件:只有当光子的能量大于或等于带隙能量时,电子才能有效地从价带跃迁到导带。;直接带隙跃迁;对于直接带隙半导体,在时:;不同半导体材料的吸收系数在不同的波长范围内表现出显著的差异。
;设计考量:;某Si片的厚度为,入射光波长为。;根据光的衰减公式(朗伯-比尔定律):;在光吸收过程中,产生的电子-空穴对的浓度可以表示为:;半导体材料的光吸收特性直
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