半导体器件物理;;8.1功率器件基本原理与特性;8.1功率器件基本原理与特性;;实际的典型功率开关中:导通态,存在电压降VF;关断态,存在反向漏电;开关瞬态,存在内部寄生的电容、非瞬间完成。;;95;非穿通结构:三角形电场分布
穿通结构:电场分布近似梯形;功率器件平面结;95;场板(FieldPlate,FP)通过改变其偏置电压来缓解曲率效应,使得表面耗尽区展宽,进而提高器件耐压。;浮空场环(Floatingfieldring,FFR):位于主结旁的一定距离位置,其没有外接电极施加电位。
类似于耗尽层电容的串联:提高器件耐压,避免主结处发生提前的雪崩击穿。;结终端扩展(Junc
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