原创力文档半导体器件物理;;7.1射频二极管;7.1射频二极管;Si基射频半导体器件功率-频率特性较为均衡。
GaAs和InP半导体器件工作频率很高，尤其InP器件，但是难以实现高功率输出。
GaN基射频器件是通过高饱和电压来实现高的工作频率，其功率输出特性更为突出。;7.1射频二极管;;;;;影响SBD频率特性的主要因素是肖特基势垒电容（结电容）Cj和串联电阻RS。;;在现代半导体器件技术中，射频SBD通常采用平面器件工艺来制造。尤其是当工作频率进入微波、毫米波波段后，采用平面工艺制造的SBD几乎成为了产业界的标准结构，因此又称“平
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