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集成电路制造技术 课件 第三章 刻蚀工艺 - .pptx

集成电路制造技术 课件 第三章 刻蚀工艺 - .pptx

    集成电路制造技术;;一、刻蚀技术简介;;刻蚀工艺的目的;举例：CMOS工艺流程中的刻蚀;;刻蚀工艺的分类和考虑参数;;;一、刻蚀技术简介;湿法刻蚀：溶液与材料发生化学反应;湿法刻蚀：溶液与材料发生化学反应;刻蚀后的样品形貌;方向性：;SiO2刻蚀：

    SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O

    或者 SiO2+4HF→SiF4+2H2O;;40wt%NH4F:49wt%HF=6:1

    反应过程中保持HF浓度

    NH4F?NH3+HF;Si的刻蚀：各向同性、各向异性;Si的刻蚀速率与刻蚀后的形貌;21;22;23;表面化

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