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基于表面电荷转移掺杂的InSe基光电探测器研究.pdf

基于表面电荷转移掺杂的InSe基光电探测器研究.pdf

    摘要

    光电探测器作为一种将光信号转化为电信号的光电器件，在国民生活中扮演着不可

    或缺的角色，被广泛应用于通信、成像、光谱分析等前沿领域。但随着科技的迅速发展，

    传统光电探测器已经不满足现代生活的种种需求，新型二维过渡金属硫族（TMDs）和

    III-VI族化合物半导体材料光电探测器在光谱覆盖、响应速度、灵敏度及集成性等方面

    突破了传统材料的限制，推动光电子技术向小尺寸、更高效、低功耗、智能的方向演进。

    众多二维材料中，硒化铟（InSe）凭借优异的光吸收效率、高的电子迁移率、可调且适

    中的带隙（

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