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半导体制造用高纯三甲基镓与三乙基镓：氮化镓MOCVD外延的碳污染控制

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

本报告聚焦半导体制造中高纯三甲基镓（TMG）与三乙基镓（TEG）两种镓源在氮化镓（GaN）金属有机化学气相沉积（MOCVD）外延过程中的碳污染机制及其对生长效率的影响。通过对近五年全球TMG/TEG供需数据、主要厂商产能布局以及典型MOCVD工艺参数的系统梳理，报告揭示了两种前驱体在气相预反应阶段的反应路径差异、碳杂质掺入浓度的量化对比，并基于此提出了碳污染