CN119287493A 一种生长大尺寸氧化镓晶体的设备及生长方法 （杭州镓仁半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119287493A

(43)申请公布日2025.01.10

(21)申请号202411419759.3

(22)申请日2024.10.11

(71)申请人杭州镓仁半导体有限公司

地址311202浙江省杭州市萧山区宁围街

道建设三路733号信息港五期一号楼

205-62

(72)发明人夏宁王琤王嘉君

(74)专利代理机构北京高沃律师事务所11569

专利代理师王洋

(51)Int.Cl.

C30B15/00(2006.01)

C30B15/22(2006.01)

C30B29/16(2006.01)

C30B15/32(2006.01)

C30B