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海光器件工程师笔试题目

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在室温下，硅的禁带宽度约为多少电子伏特？

A.0.6

B.1.1

C.1.4

D.2.3

2.PN结形成的内在原因是？

A.掺杂剂的作用

B.扩散与漂移的平衡

C.半导体材料的能带结构

D.外加电压的应用

3.当给PN结施加正向偏置时，其耗尽层宽度会发生什么变化？

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变宽后变窄

4.在理想情况下，二极管的正向压降在室温下约为多少？

A.0.1V

B.0.5V

C.0.7V

D.1.0V

5.MOSFET的输出特性曲线中，描绘的是在固定漏源电压(VDS)下，漏极电流(ID)与什么电压之间的关系？

A.栅源电压(VGS)

B.源极电压(VS)

C.漏极电压(VD)

D.Gate漏极电压(VGD)

6.对于增强型NMOSFET，要使其导通，其栅源电压(VGS)必须？

A.小于阈值电压(Vth)

B.等于阈值电压(Vth)

C.大于阈值电压(Vth)

D.