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芯源微工艺工程师笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确选项，请将正确选项的字母填在题号后的括号内。每题2分，共20分）

1.在半导体晶体中，描述硅（Si）原子最密排方向的Miller指数是？

A.(111)

B.(110)

C.(100)

D.(111)

2.对于P型半导体，其多数载流子是？

A.电子

B.空穴

C.两者皆有

D.两者皆无

3.MOSFET器件中，形成反型层（Channel）的关键条件是？

A.栅极电压低于阈值电压

B.栅极电压高于阈值电压，且源漏之间有电压差

C.栅极电压低于阈值电压，且源漏之间有电压差

D.栅极电压等于阈值电压

4.在光刻工艺中，定义图形最小特征尺寸的主要物理极限是？

A.光刻胶的感光深度

B.照射光的波长

C.透镜的数值孔径

D.镜头的放大倍数

5.干法刻蚀中，使用CF4作为反应气体，其主要刻蚀的半导体材料是？

A.硅（Si）

B.氮化硅（SiN）

C.氧化硅（SiO2）

D.金属铝（Al）

6.在等离子体刻蚀过程中，增加等离子体刻蚀速率的主要